STF140N8F7技术参数详情：
STF140N8F7是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件隶属于先进的STripFET VII系列，集成了DeepGATE技术，核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。
其关键参数包括80V的漏源电压（Vdss）和64A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）典型值低至4.3毫欧@32A，栅极电荷（Qg）最大值仅为96nC，这共同确保了极低的导通损耗和高效的开关性能，有助于提升整体电源系统的效率。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的环境。
- 型号:STF140N8F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 32A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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