STGWT20V60DF

STGWT20V60DF是ST意法半导体生产的一款采用TO-3P-3封装的沟槽型场截止IGBT。该器件核心电气参数为600V集射极击穿电压与40A最大集电极电流，脉冲电流能力达80A，为中等功率开关应用提供了高耐压与大电流处理能力。

其技术亮点在于优异的导通与开关效率平衡。在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下，饱和压降最大值仅为2.2V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量（开/关：200J/130J）与快速的反向恢复时间（40ns）确保了在高频操作下的低开关损耗。器件最大功耗为167W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备良好的热鲁棒性。

• 型号:STGWT20V60DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:200J（导通），130J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:116 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
• 测试条件:400V，20A，15V
• 反向恢复时间 (trr):40 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• 现在可以订购STGWT20V60DF，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。