STF16N60M6技术参数详情：
STF16N60M6是ST意法半导体UltraFASTmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心规格为600V漏源电压和12A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的电气基础。
其技术核心在于通过先进的单元设计实现了快速开关特性与低导通损耗的结合。优化的动态参数有助于提升系统效率与工作频率，同时标准通孔封装确保了良好的功率处理能力和散热兼容性，适用于要求高可靠性和高效能的功率转换场景。
- 型号:STF16N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF16N60M6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
