STF16NK60Z技术参数详情：
STF16NK60Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V的高耐压（Vdss）与低至420毫欧（@10V，7A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中有效降低导通损耗，提升系统效率。
其电气参数设计兼顾性能与驱动便利性，连续漏极电流（Id）达14A，栅极电荷（Qg）最大值为86nC，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。结合150°C的最高工作结温和40W的功率耗散能力，该器件为要求高可靠性的功率转换应用，如开关电源和电机驱动，提供了一个经过验证的高性能解决方案。
- 型号:STF16NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2650 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF16NK60Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
