STF18N55M5

STF18N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为550V漏源电压（V_DSS）和16A（T_C）连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：最大192毫欧的导通电阻（@8A,10V）确保了较低的导通损耗，而31nC（@10V）的典型栅极电荷和1260pF的输入电容则有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性共同提升了电源系统的转换效率。器件结温最高可达150°C，具备良好的热性能，适用于对可靠性要求较高的工业与通信电源领域。

• 型号:STF18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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