SCTH100N65G2-7AG技术参数详情：
SCTH100N65G2-7AG是ST意法半导体符合AEC-Q101标准的汽车级碳化硅功率MOSFET。该器件采用H2PAK-7封装，额定电压650V，在25°C壳温下可连续通过95A电流，其最大导通电阻低至26毫欧（@50A， 18V），有效降低了导通损耗。
得益于碳化硅技术，器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷仅为162nC，支持高频率工作，有助于提升功率密度。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功耗360W，结合表面贴装形式，为汽车电驱、车载充电及高可靠性工业电源应用提供了高效、紧凑且鲁棒的解决方案。
- 型号:SCTH100N65G2-7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+22V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315 pF @ 520 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK-7
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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