STP36N60M6技术参数详情：
STP36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与30A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至99毫欧的导通电阻（Rds(on)），为高压大电流应用提供了优异的导通性能与功率处理能力。
其电气参数经过优化，栅极电荷（Qg）仅为44.3nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统效率。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及功率变换等高要求应用中的高效、可靠选择。
- 型号:STP36N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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