STF12N50DM2技术参数详情：
STF12N50DM2是ST意法半导体基于第二代MDmesh DM2技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于在500V的漏源电压（Vdss）下高效工作，并在25°C壳温下提供高达11A的连续漏极电流。
其技术核心在于优化了导通电阻与栅极电荷的权衡，典型导通电阻低至350毫欧（@10V， 5.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为16nC。这种特性组合显著降低了开关和传导损耗，提升了电源系统的效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为25W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STF12N50DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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