STF26NM60N技术参数详情：
STF26NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压和20A连续漏极电流，专为要求严苛的功率转换应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至165毫欧@10A，有效降低了导通损耗。同时，最大栅极电荷仅为60nC，有助于实现高速开关并减少开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和PFC电路等高可靠性、高效率应用场景中的优选功率开关解决方案。
- 型号:STF26NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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