STFI6N65K3

STFI6N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用通孔I2PAKFP（TO-281）封装，核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和5.4A连续漏极电流（Id），适用于高压开关应用。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：最大1.3欧姆的低导通电阻有效降低了传导损耗，而33nC的低栅极电荷则确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件支持最高150°C的结温工作，并具备30W的功率耗散能力，提供了稳健的热性能。这些特性使其成为开关电源、功率校正及照明驱动等领域的理想功率开关选择。

• 型号:STFI6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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