STF33N60DM6技术参数详情：
STF33N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）极低，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的开关损耗，有助于提升系统整体效率与功率密度。器件采用TO-220FP封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STF33N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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