STF33N60M6技术参数详情：
STF33N60M6是ST意法半导体MDmesh M6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于600V的漏源电压和25A的连续电流处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。
该器件的关键卖点在于其优异的动态性能平衡：125毫欧的低导通电阻（Rds(on)）确保了较低的传导损耗，而33.4nC的低栅极电荷（Qg）则实现了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这种组合使其在追求高效率和高功率密度的开关电源设计中表现出色。
其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和35W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛工业环境下的可靠性与稳定性，是电机控制、电源转换和能源系统等应用的理想选择。
- 型号:STF33N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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