STP7NM80技术参数详情：
STP7NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与6.5A的连续漏极电流（Id）额定值，为离线电源应用提供了坚实的电压耐受基础。
该器件基于MDmesh技术，实现了1.05欧姆的低导通电阻（Rds(on)）与仅18nC的低栅极电荷（Qg），这一组合有效优化了传导损耗与开关损耗的平衡。其设计支持10V标准驱动，开关性能高效，适用于要求高可靠性与能效的功率转换场景。
- 型号:STP7NM80
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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