STF35N65DM2技术参数详情：
STF35N65DM2是ST意法半导体推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源电压额定值与低至110毫欧（@10V， 16A）的导通电阻，为高压应用提供了优异的效率表现。
该器件具备32A（Tc）的高连续电流能力，同时通过56.3nC的低栅极电荷优化了开关性能，有助于降低开关损耗并提升工作频率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级环境下的高可靠性，适用于开关电源、电机驱动及新能源逆变器等高效功率转换领域。
- 制造商产品型号：STF35N65DM2
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh DM2
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：32A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110毫欧 @ 16A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：56.3nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2540pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：40W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220FP
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