STF3LN80K5技术参数详情：
STF3LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术，封装形式为TO-220FP。其核心卖点在于高达800V的漏源电压（Vdss）额定值，结合较低的导通电阻，为高压开关应用提供了高效率与低损耗的解决方案。
该器件在动态性能上表现突出，具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），支持快速的开关频率，有助于减小驱动损耗并优化电源拓扑设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性，适用于要求严苛的工业与消费类电源领域。
- 型号:STF3LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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