STF45N10F7

STF45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数针对高效功率开关进行了优化。

其关键特性包括100V的漏源电压（Vdss）和30A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的基础。最突出的优势在于其极低的导通阻抗，在10V Vgs、15A Id条件下，Rds(on)最大值仅为18毫欧，能显著降低导通损耗。此外，其最大栅极电荷（Qg）为25nC @ 10V，有助于实现快速的开关速度并降低驱动要求。

• 型号:STF45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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