STH52N10LF3-2AG技术参数详情：
STH52N10LF3-2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F3产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡。
其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）和52A的连续漏极电流（Id）能力，确保了强大的功率处理基础。性能亮点在于极低的导通电阻（典型20mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（典型18.5nC @ 5V），这直接转化为更低的传导损耗和更快的开关速度，从而提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性。
- 制造商产品型号：STH52N10LF3-2AG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：STripFET F3
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 26A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.5nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：H2Pak-2
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