STD9HN65M2技术参数详情：
STD9HN65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下5.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为820毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值11.5nC）和输入电容（Ciss，最大值325pF @ 100V）确保了快速的开关切换和较低的驱动需求，有助于提升系统整体效率。这些参数使其成为要求高效率与可靠性的功率转换设计的理想选择。
- 型号:STD9HN65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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