STF5N105K5技术参数详情：
STF5N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括1050V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下3A的连续漏极电流（Id）能力。
该器件在电气性能上进行了优化，旨在平衡导通损耗与开关损耗。其最大导通电阻仅为3.5欧姆（@1.5A， 10V），而栅极电荷（Qg）被控制在12.5nC（@10V）以内，这有助于提升系统的整体效率。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为25W（Tc），并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在多种应用环境下的可靠性与耐用性。
- 型号:STF5N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220 整包
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220 整包
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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