STF5N60M2

STF5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与3.7A连续漏极电流（Id），专为高压、高效率应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与低开关损耗的优化组合。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，而最大栅极电荷（Qg）仅为4.5nC，这有助于减少功率耗散并提升开关速度。此外，器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热性能与可靠性。

综合来看，STF5N60M2凭借其平衡的电气特性，是开关电源、PFC电路及LED驱动等功率转换应用的可靠解决方案。

• 型号:STF5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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