STH270N4F3-6技术参数详情：
STH270N4F3-6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET III技术。该器件设计用于严苛的汽车环境，采用HPAK封装，在10V栅极驱动下可实现低至1.7毫欧（@80A）的导通电阻，并支持高达180A的连续漏极电流与40V的漏源电压，有效降低了功率损耗并提升了电流处理能力。
其栅极电荷最大值仅为150nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为300W，确保了高温环境下的稳定运行。这些特性使其成为汽车中大电流开关应用的理想选择，例如电动助力转向、电机驱动和DC-DC电源转换等场景。
- 型号:STH270N4F3-6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:H2PAK
- 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
- 现在可以订购STH270N4F3-6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
