STF6N65M2

STF6N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与经过优化的低导通电阻特性，旨在实现高效率的功率转换。

该MOSFET在25°C壳温下可支持4A的连续漏极电流，并在10V栅极驱动下提供较低的导通电阻。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过精心设计，有助于降低开关损耗并提升开关速度。采用TO-220FP通孔封装，具备良好的功率耗散能力（20W，Tc）和宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STF6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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