STF7N65M2技术参数详情：
STF7N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心电气参数针对高效功率开关应用进行了优化。
其650V的漏源电压（Vdss）额定值提供了强大的高压耐受能力，适用于直接由交流电网供电的场合。在导通性能上，1.15欧姆的低导通电阻（@10V， 2.5A）有效降低了通态损耗，而仅9nC的低栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。器件支持高达5A的连续漏极电流和150°C的最高工作结温，展现了良好的功率处理能力和宽温工作稳定性。
- 型号:STF7N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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