STPSC8H065G-TR技术参数详情：
STPSC8H065G-TR是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款8A、650V肖特基势垒二极管。该器件采用DPAK表面贴装封装，其核心优势在于利用碳化硅材料的特性，实现了传统硅基快恢复二极管无法比拟的性能。
其技术参数明确指向高效率与高可靠性设计。关键特性包括高达650V的反向耐压、8A的平均整流电流，以及在8A电流下仅为1.75V的典型正向压降。最显著的技术亮点是其零反向恢复时间（trr=0ns），这从根本上消除了开关损耗中的反向恢复损耗部分，特别适用于高频硬开关拓扑。
综合其高压、大电流、零反向恢复及良好的热性能（TO-263封装），该二极管旨在提升功率转换系统的效率和功率密度，是PFC、光伏逆变器、电动汽车充电等高端电源应用的理想选择。
- 型号:STPSC8H065G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:414pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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