STF7N95K3技术参数详情:
STF7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装,核心优势在于其950V的高漏源耐压(Vdss)与低至1.35欧姆(最大值)的导通电阻的卓越组合,这确保了其在高压开关应用中既能承受电压应力,又能有效降低导通损耗。
其技术参数针对高效开关进行了优化,包括7.2A的连续漏极电流能力、仅33nC的低栅极电荷(Qg)以及宽达-55°C至150°C的工作结温范围。这些特性使其特别适用于需要高可靠性和高效率的场合,如工业级开关电源、电机驱动和功率转换系统,为设计人员提供了兼顾性能与成本的优质功率开关解决方案。
- 型号:STF7N95K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.35 欧姆 @ 3.6A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1031 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):35W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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