STP9NK50ZFP

STP9NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至850毫欧（@10V V_GS, 3.6A I_D）的导通电阻（R_DS(on)）的出色结合，这得益于先进的SuperMESH制造技术，有效优化了高压下的传导损耗。

其电气参数设计兼顾了性能与易用性，7.2A的连续漏极电流能力和32nC的典型栅极电荷（Q_g）使其既能处理可观的功率，又便于驱动和控制。器件采用TO-220FP绝缘封装，提供了便捷的通孔安装方式和简化的散热解决方案。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及照明电子等高压、高效能应用领域的可靠选择。

• 型号:STP9NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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