STF8N65M5

STF8N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至600毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于其超结技术，能够在高压应用中显著降低传导损耗。

此外，器件具备7A的连续漏极电流处理能力和最大仅15nC的低栅极电荷（Qg），前者确保了其承载功率的能力，后者则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。其150°C的最高工作结温和±25V的栅源电压耐受范围，进一步保障了其在严苛环境下的应用可靠性与设计灵活性。

• 型号:STF8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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