STF9HN65M2

STF9HN65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和5.5A（Tc）的连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为820毫欧，有助于降低传导损耗。同时，低至11.5nC的栅极电荷（Qg）和325pF的输入电容（Ciss），确保了器件在高频开关应用中的高效能与低驱动损耗，适用于要求严苛的功率转换设计。

• 型号:STF9HN65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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