STFH10N60M6技术参数详情：
STFH10N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压高效应用，其核心优势在于平衡了导通损耗与开关性能。
它提供600V的漏源电压（Vdss）和6.4A的连续漏极电流（Id）能力，并凭借先进的工艺技术实现了低至600mΩ的导通电阻（Rds(on)）以及极低的栅极电荷（Qg，最大值8.8nC）。这些参数共同确保了器件在导通状态下的低功耗和高频开关下的高效率。其采用TO-220FP封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源设计。
- 型号:STFH10N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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