STP7NK40ZFP技术参数详情：
STP7NK40ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括400V的漏源电压（Vdss）和5.4A的连续漏极电流（Id），适用于中高功率开关应用。
其技术优势体现在较低的导通电阻（1欧姆 @ 10V， 2.7A）与优化的栅极电荷（26nC @ 10V），这有助于在开关电源等电路中实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为25W，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STP7NK40ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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