STFI31N65M5

STFI31N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用I2PAKFP通孔封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻的出色结合，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为148毫欧（@11A），同时栅极电荷（Qg）最大值低至45nC。

这些参数共同确保了器件在高频开关应用中兼具低传导损耗和低开关损耗，有助于提升整体电源系统的效率。其连续漏极电流（Id）在壳温25°C时可达22A，最大结温为150°C，提供了稳健的电流处理能力和热可靠性，适用于对效率和功率密度有较高要求的工业级电源设计。

• 型号:STFI31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1865 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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