STFI5N95K3

STFI5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下4A的连续漏极电流承载能力。

其技术优势体现在优异的动态性能与导通特性的结合上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为3.5欧姆（@2A），有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，典型值19nC @10V）和输入电容（Ciss）确保了快速开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STFI5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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