STP120NH03L技术参数详情：
STP120NH03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其极低的导通电阻与优化的开关特性平衡。
其关键参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达60A（Tc）的连续漏极电流（Id），能够处理大功率应用。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为5.5毫欧（@30A），这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在77nC，有助于实现快速的开关速度和降低驱动损耗。
该器件设计用于要求高效率和高可靠性的功率转换与开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块，其宽工作温度范围（-55°C ~ 175°C TJ）确保了在恶劣环境下的稳定运行。
- 型号:STP120NH03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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