STGP10NC60KD技术参数详情：
STGP10NC60KD是意法半导体推出的一款600V、20A的TO-220封装IGBT，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了一个快速恢复二极管，提供了完整的功率开关解决方案。
其核心优势在于优异的电气性能平衡：600V的击穿电压确保了高压应用的可靠性，2.5V @ 5A的低饱和压降有效降低了导通损耗。同时，其开关能量（55J/85J）和快速的反向恢复时间（22ns）共同优化了开关性能，有助于提升系统效率和工作频率。65W的功率处理能力和150°C的最高结温，保证了其在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STGP10NC60KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 20A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:65 W
- 开关能量:55J（导通），85J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:19 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns
- 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):22 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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