STM32F779NIH6技术参数详情：
STM32F779NIH6是ST意法半导体推出的一款高性能32位微控制器，隶属于STM32F7系列。该器件基于运行频率高达216MHz的ARM Cortex-M7内核，并集成了2MB闪存和512KB SRAM，为处理复杂算法和运行大型应用程序提供了充足的资源。
其外设集高度集成，包含24通道12位ADC、2通道12位DAC、LCD-TFT控制器以及包括以太网、USB OTG、CAN和多种串行接口在内的广泛连接选项。该MCU提供159个I/O，支持1.7V至3.6V的宽电压范围，采用216-TFBGA封装，工作温度范围为-40°C至85°C，专为需要高性能计算、实时控制、丰富连接及图形界面的工业、消费和汽车应用而设计。
- 型号:STM32F779NIH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:216-TFBGA（13x13）
- 类目:集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 描述:IC MCU 32BIT 2MB FLASH 216TFBGA
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 核心处理器:ARM Cortex-M7
- 内核规格:32-位
- 速度:216MHz
- 连接能力:CANbus，EBI/EMI，以太网，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD/SDIO，QSPI，SAI，SPDIF，SPI，UART/USART，USB OTG
- 外设:掉电检测/复位，DMA，I2S，LCD，POR，PWM，WDT
- I/O 数:159
- 程序存储容量:2MB（2M x 8）
- 程序存储器类型:闪存
- EEPROM 容量:-
- RAM 大小:512K x 8
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):1.7V ~ 3.6V
- 数据转换器:A/D 24x12b; D/A 2x12b
- 振荡器类型:内部
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:216-TFBGA（13x13）
- 封装/外壳:216-TFBGA
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