STFI8N80K5

STFI8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至950毫欧（@ 3A, 10V）的导通电阻的出色结合，这得益于先进的芯片技术，旨在实现高压应用中的高效率与低损耗。

器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）仅为16.5nC，输入电容（Ciss）为450pF，这有助于简化驱动设计并提升开关频率。其额定连续漏极电流为6A（Tc），采用通孔式I2PAKFP（TO-281）封装，最大功耗25W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STFI8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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