STFI9N60M2

STFI9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的优异组合，在10V驱动电压、3A电流条件下，其导通电阻最大值仅为780毫欧，能显著降低功率损耗。

此外，该MOSFET具备快速的开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC @ 10V，有助于实现高效率的高频开关操作。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，在25°C（Tc）条件下可支持5.5A的连续漏极电流和20W的功率耗散，最高结温达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和耐用性。

• 制造商产品型号：STFI9N60M2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAKFP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II Plus
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：320pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：20W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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