STFILED625技术参数详情：
STFILED625是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAKFP通孔封装。其核心电气参数包括620V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))最大值为2欧姆 @ 1.9A，结合最大仅23nC的栅极电荷(Qg)，实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡，有助于提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。
- 制造商产品型号：STFILED625
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 4.5A I2PAKFP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 1.9A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAKFP（TO-281）
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