STFU18N60M2

STFU18N60M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP绝缘封装。该器件设计用于高压环境，其核心规格支持高达600V的漏源电压，为电源转换和电机驱动等应用提供了必要的电压耐受基础。

其技术设计的重点在于优化功率损耗。通过实现低导通电阻与低栅极电荷的良好结合，该MOSFET能够显著降低导通与开关过程中的能量损耗，从而提升系统整体效率。此外，其坚固的体二极管和良好的热性能确保了在频繁开关和感性负载条件下工作的长期可靠性，适用于对效率和耐用性有较高要求的工业与消费类电源解决方案。

• 型号:STFU18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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