STFV3N150技术参数详情：
STFV3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装和PowerMESH技术。其核心卖点在于高达1500V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的耐压基础与电流处理能力。
该器件在10V驱动电压下具有9欧姆的典型导通电阻，并配备了低至29.3nC的栅极电荷，有助于实现较低的导通损耗和较快的开关速度。其设计支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为30W，确保了在严苛环境下的可靠性与散热余量。
- 型号:STFV3N150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
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