STFW2N105K5

STFW2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH5产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，实现了1050V的高漏源电压（Vdss）与低导通电阻（Rds(on)）的良好平衡，在10V驱动电压下典型值仅为8欧姆 @ 750mA，有助于降低导通损耗。

其设计注重开关性能与可靠性，最大栅极电荷（Qg）低至10nC，支持快速的开关切换。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，最大功率耗散为30W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在高压、高功率密度应用中的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机控制等高压功率转换应用的理想选择。

• 型号:STFW2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 2A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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