STFW3N170

STFW3N170是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件设计用于处理高达1700V的漏源电压（Vdss），并在10V栅极驱动下提供2.6A的连续漏极电流（Tc），其最大导通电阻（Rds(on)）在1.3A条件下仅为13欧姆，实现了高压与低导通损耗的良好结合。

其关键特性包括极低的栅极电荷（Qg，最大值44nC @ 10V），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗，以及高达63W（Tc）的功率耗散能力。器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的高可靠性和热稳定性。

• 型号:STFW3N170
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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