STG3P2M10N60B技术参数详情：
STG3P2M10N60B是ST意法半导体的一款三相逆变器IGBT模块，采用SEMITOP2封装。该模块集成了完整的逆变桥臂，额定电压600V，最大集电极电流19A，最大功耗56W，专为简化中小功率电机驱动设计而优化。
其核心电气特性包括在7A电流下典型的2.5V低导通压降(Vce(on))，有助于降低开关损耗。模块工作结温范围宽(-40°C ~ 150°C)，适应工业环境要求。紧凑的集成化设计减少了外部元件数量，提升了系统功率密度与可靠性，适用于变频器、泵、风机等驱动应用。
- 型号:STG3P2M10N60B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SEMITOP2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:19 A
- 功率 - 最大值:56 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，7A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:10 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):720 pF @ 25 V
- 输入:单相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SEMITOP2
- 供应商器件封装:SEMITOP2
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