STP2N105K5

STP2N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高效功率转换，其核心特性包括高达1050V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动下仅8欧姆的低导通电阻（Rds(on)），这确保了其在高压应用中具备出色的耐压能力和较低的传导损耗。

此外，该MOSFET具备优异的动态性能，其最大栅极电荷（Qg）低至10nC，输入电容（Ciss）也处于较低水平，这显著降低了开关损耗，支持更高频率的开关操作。采用TO-220封装，提供1.5A的连续电流能力和60W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为工业级电源和电机控制应用提供了可靠、高效的解决方案。

• 型号:STP2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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