STGAP2SICSC技术参数详情：
STGAP2SICSC是意法半导体推出的一款单通道电隔离栅极驱动器，专为高效驱动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙功率开关而优化。该器件采用容性耦合技术，提供高达5000Vrms的电气隔离，并具备优异的100kV/s共模瞬变抗扰度，确保在高压噪声环境下的稳定工作。
其核心特性包括对称的4A峰值输出电流、低至90纳秒的最大传播延迟以及仅20纳秒的脉宽失真，这些参数共同保障了功率开关的快速、精确和高效切换。器件工作温度范围为-40°C至125°C，采用8-SOIC封装，集成了欠压锁定保护，适用于要求高可靠性、高功率密度和强鲁棒性的工业与汽车电子应用。
- 型号:STGAP2SICSC
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SO
- 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
- 描述:DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:容性耦合
- 通道数:1
- 电压 - 隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度（最小值）:100V/ns
- 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:90ns，90ns
- 脉宽失真（最大）:20ns
- 上升/下降时间（典型值）:30ns，30ns
- 电流 - 输出高、低:4A，4A
- 电流 - 峰值输出:4A
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
- 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
- 电压 -输出供电:3V ~ 5.5V
- 等级:-
- 资质:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
- 认证机构:UL
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