STB130N6F7

STB130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心优势在于其极低的导通电阻（5mΩ @ 40A, 10V）与高电流处理能力（80A连续漏极电流），旨在最大限度地降低传导损耗，提升功率转换效率。

其电气规格包括60V的漏源电压额定值，以及优化的栅极电荷（42nC @ 10V），这有助于实现快速的开关速度和降低开关损耗。器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。这些特性使其成为工业电机控制、汽车电源系统以及高效率DC-DC转换器等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:STB130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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