STGB18N40LZT4技术参数详情：
STGB18N40LZT4是ST意法半导体推出的汽车级（AEC-Q101）绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用PowerMESH技术，封装为DPAK（TO-263-3）。该器件设计用于高可靠性汽车环境，核心电气参数包括420V的集射极击穿电压和30A的连续集电极电流，确保了在严苛工况下的稳健运行。
其关键优势在于优异的导通性能，在4.5V栅极驱动下，10A电流时的集射极饱和电压典型值仅为1.7V，有效降低了导通损耗。同时，逻辑电平输入栅极（兼容5V驱动）和29nC的低栅极电荷简化了驱动电路设计并有助于提升开关效率。150W的最大功耗能力和-55°C至175°C的宽结温工作范围，使其非常适合发动机舱等高温、高功率密度应用场景。
- 型号:STGB18N40LZT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 420V 30A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:420 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 4.5V，10A
- 功率 - 最大值:150 W
- 开关能量:-
- 输入类型:逻辑
- 栅极电荷:29 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:650ns/13.5s
- 测试条件:300V，10A，5V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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