STW12N170K5技术参数详情：
STW12N170K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为1700V漏源电压和5A连续漏极电流（Tc=25°C），专为高效能、高可靠性的高压功率开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：最大2.9欧姆的低导通电阻（@10V， 2.5A）有效降低了传导损耗，而最大37nC的低栅极电荷（@10V）则有助于提升开关速度、降低开关损耗。结合250W（Tc）的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够满足工业电源、电机驱动和可再生能源转换等严苛应用的需求。
- 型号:STW12N170K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1700V 5A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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