STGB30V60DF技术参数详情：
STGB30V60DF是ST意法半导体生产的一款600V、60A沟槽型场截止IGBT，采用D2PAK（TO-263-3）表面贴装封装。该器件在15V栅极驱动、30A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.3V，实现了优异的导通效率，同时其开关能量与延迟时间经过优化，支持高频开关操作。
其最大功耗为258W，集电极脉冲电流能力达120A，并具备-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在高功率密度和严苛环境下的稳定性和耐用性。这些核心参数使其成为工业电机驱动、电源转换及新能源逆变器等中高功率应用的理想选择。
- 型号:STGB30V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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