STF4LN80K5

STF4LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和3A连续漏极电流（Id），专为应对严苛的高压环境而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为2.6欧姆（@1A），确保了较低的传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值3.7nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值122pF @100V）显著降低了开关损耗和驱动需求，有利于提升开关电源的工作频率与整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）则保障了其在各种环境下的长期可靠性。

• 型号:STF4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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